Im Nah-Infrarot-Bild (900 nm ... 2.200 nm) lassen sich Objekte unterscheiden, die sich im Sichtbaren gleichen und so Qualitätsmerkmale erkennen, die ansonsten unsichtbar bleiben. Bisherige NIR-Bild-Aufnehmer waren jedoch teuer, das Auflösungsvermögen war gering, das Rauschen hoch und die Handhabung umständlich. Jetzt gibt es neue Entwicklungen: Sensoren, die auf dem Detektormaterial Indium-Gallium-Arsenid basieren und Daten mittels CMOS-Technologie auslesen.
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Empfindliche Infrarot-Kameras auf InGaAs-Basis detektieren die schwache Elektrolumineszenz-Strahlung von Dünnschicht-Solarzellen. Diese emittieren Photonen aufgrund einer extern angelegten Vorspannung und lassen darüber Rückschlüsse auf die Qualität der Solarzellen zu. Damit lassen sich beispielsweise Mikrorisse und Verunreinigungen der Halbleiterschichten räumlich aufgelöst erfassen.
Traditionelle Solarzellen auf Basis von Silizium-Wafern sind deutlich besser erforscht als Dünnschicht-Solarzellen.
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